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[00069686]高品质电容薄膜的规模化制备技术与应用
联系人： 哈尔滨理工大学
所在地：
- 服务承诺
- 产权明晰
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资料保密
对所交付的所有资料进行保密
- 如实描述
技术详细介绍
电容薄膜表面生长宽禁带无机势垒层，提高金属电极与电容薄膜之间的界面势垒，抑 制电极处电荷注入，进而降低电导损耗。实验室前期研究基础表明，上述两种改性技 术均能够显著提升电容薄膜的高温储能性能。
成果技术特点及主要技术指标
本项目旨在掌握拥有自主知识产权的高性能电容薄膜关键制备与改性技术，开 发出面向高温、强电场等极端环境服役的高性能电容薄膜，其关键性能指标如下： 25℃： 电容薄膜介电损耗≤ 3×10E-4， 体积电阻率≥ 1×10E15， 击穿场强≥ 550kV/ mm，储能密度≥ 8J/cm3；120℃：电容薄膜介电损耗≤ 8×10E-4，体积电阻率 ≥ 5×10E14，击穿场强≥ 450kV/mm，储能密度≥ 4J/cm3，耐久时间≥ 2000 小时。
