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技术简介: 一种应变垂直MOS器件的制造方法,在衬底上完成图形转移,再形成金属掩膜,通过进行刻蚀形成硅柱,减小硅柱直径,制备硅纳米线,并生长栅氧化层;淀积多晶硅、掺杂并激活杂质离子,形成环状栅极…… 查看详细 >
技术简介: 本发明公开了一种基于压接互连工艺和混合封装技术的电力电子集成模块的制备方法,首次提出铍青铜弹簧压接互连工艺的原理以及采用该工艺设计制造电力电子集成模块的封装步骤。铍青铜压接互连工艺…… 查看详细 >
技术简介: 基于金属球压接互连技术的电力电子集成模块的制备方法,首先将MOSFET管芯焊接在钼片上;在Al2O3基板形成需要的电路图形,然后把钼片焊接到Al2O3基板上,将MOSFET管芯的栅极引出;铜箔电极焊接在…… 查看详细 >
技术简介: 一种太阳能低倍聚光光伏电池室内测试装置及测试方法,太阳模拟器发射的模拟太阳光照射在低倍聚光光伏电池平台上,太阳模拟器、低倍聚光光伏电池平台均与测控装置相连;测试时,由测控箱打开散热…… 查看详细 >
技术简介: 一种太阳能低倍聚光光伏电池室内测试装置太阳模拟器发射的模拟太阳光照射在低倍聚光光伏电池平台上,太阳模拟器、低倍聚光光伏电池平台均与测控装置相连;测试时,由测控箱打开散热器以及氙灯阵…… 查看详细 >
技术简介: 本发明公开了一种GaN 查看详细 >
技术简介: 本发明公开了一种波形微通道式换热器换热器其特征在于,包括基座(2)以及与基座(2)配合使用的盖板(3);其中,基座(2)与盖板(3)的配合面的中心处开设有波形微通道(201),波形微通道(…… 查看详细 >
技术简介: 本发明涉及一种芯片冷却系统芯片冷却系统包括用于一级换热的芯片导热板和用于二级换热的环形热管,所述芯片导热板上并排设置有若干个微细通道,微细通道同时连接一根设置有泵的循环管道,形成循…… 查看详细 >
技术简介: 一种用于芯片冷却的脉动热管散热装置脉动热管散热装置包括芯片模块及安装在其上部的芯片冷却基座,芯片冷却基座与闭式螺旋型脉动热管配合压紧,使闭式螺旋型脉动热管的蒸发段与芯片模块充分接触…… 查看详细 >
技术简介: 本发明提供一种分裂电容中间布局的低寄生电感GaN功率集成模块,包括上桥臂器件、下桥臂器件和母线电容,上桥臂器件、下桥臂器件是LGA封装的GaN器件,母线电容是贴片封装。两个GaN器件并排放置,…… 查看详细 >
技术简介: 本发明公开一种STT‑MRAM存储单元,包括晶体管和MTJ单元;晶体管建立在基底上,晶体管的漏极与MTJ单元通过金属线达到漏接触;MTJ单元包括内电极和包裹在内电极外周的种子层、铁磁性钉扎层、非磁…… 查看详细 >
技术简介: 本发明公开了一种微透镜及其阵列的集成非平面紫外光电探测器,包括金属电极、微透镜阵列及半导体材料基底;微透镜阵列设置于半导体材料基底上;金属电极对称地制作在微透镜阵列中每一个微透镜的…… 查看详细 >
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