一种单层光学薄膜光学常数和厚度的检测方法

技术简介： 项目简介：一种单层光学薄膜光学常数和厚度的检测方法，涉及一种光学薄膜参数的检测方法。提供仅通过一次计算，即可快速检测的一种单层光学薄膜光学常数和厚度的检测方法。测量透射光谱：利用分…… 查看详细 >

一种锗量子点的制备方法

技术简介： 项目简介：一种锗量子点的制备方法，涉及一种制备锗量子点的方法。提供一种可实现小尺寸、高密度、没有浸润层的Ｇｅ量子点的制备方法。在硅衬底或绝缘体上的硅衬底上，生长一层ＳｉＧｅ合金层，…… 查看详细 >

8-膦基喹啉衍生物为配体的铜(I)磷光配合物及其应用

技术简介： 本发明涉及8-膦基喹啉衍生物为配体的铜(I)磷光配合物的合成方法及其在有机电致发光器件中的应用。该类铜(I)配合物具有不对称的二齿N^P型配体，相较传统的二亚胺/三苯基膦混合配体铜(I)磷光配合…… 查看详细 >

硫化镓钡单晶体及其生长方法及其红外非线性光学器件

技术简介： 本发明涉及硫化镓钡单晶体及其生长方法及其红外非线性光学器件。其分子式为BaGa4S7，属于正交晶系，空间群为Pmn21，晶胞参数为a=14.755，b=6.228，c=5.929，α=β=γ=90°。该非线性光学材…… 查看详细 >

有离子交换性能的锗-锑微孔硫化物及其制备方法和用途

技术简介： 本发明涉及一种具有离子交换性能的锗-锑微孔硫化物及其制备方法和用途。该硫化物的化学式为[(Me)2NH2]2Sb2GeS6，分子量为600.64，属四方晶系，空间群为P41212，单胞参数为a=b=10.988(3)，c=13.8…… 查看详细 >

掺铒钼酸锂钡钇激光晶体及其制备方法和用途

技术简介： 本发明涉及激光晶体掺铒钼酸锂钡钇及其制备方法和用途。该方法采用60~80at%Li2MoO4为助熔剂，降温速率为0.5~2℃/天，转速为5~30转/分钟，生长出了高质量、较大尺寸的Er3+:Li3Ba2Y3(MoO4)8晶体.…… 查看详细 >

掺钕钼酸锂钡镧激光晶体及其制备方法和用途

技术简介： 本发明激光晶体掺钕钼酸锂钡镧及其制备方法和用途。该方法采用60~80at%Li2MoO4为助熔剂，降温速率为0.5~2℃/天，转速为5~30转/分钟，生长出了高质量、较大尺寸的Nd3+:Li3Ba2La3(MoO4)8晶体。该…… 查看详细 >

掺钕钨酸锂钡钆激光晶体及其制备方法和用途

技术简介： 本发明涉及激光晶体掺钕钨酸锂钡钆及其制备方法和用途。采用30~60at%Li2WO4为助熔剂，降温速率为0.5~2℃/天，转速为5~30转/分钟，生长出了高质量、较大尺寸晶体。该晶体属单斜晶系，具有C2/c空…… 查看详细 >

掺钕钨酸镧铯激光晶体及其制备方法和用途

技术简介： 本发明涉及一种掺钕钨酸镧铯激光晶体及其制备方法和用途。采用熔盐提拉法，在1010℃左右，以10~30转/分钟的晶体转速，0.2~0.7毫米/小时的拉速，生长出了高质量、较大尺寸的Nd3+:CsLa(WO4)2晶体…… 查看详细 >

一种单层β相氢氧化镍二维纳米单晶片及其合成方法

技术简介： 本发明涉及纳米材料技术领域。该单晶片盐a-b平面生长，尺寸为近100nm，厚度为c-轴方向，大小约为1个晶胞长度。单晶片表面清洁，无须其它衬底生长且可以孤立稳定地存在。单层β-Ni(OH)2二维纳米…… 查看详细 >

一种非线性光学晶体亚硒酸钼银及其制备方法和用途

技术简介： 本发明涉及非线性光学材料亚碲酸钼银晶体及其合成。该晶体的化学式为Ag2Mo3Te3O16，分子量为：1142.35，属单斜晶系，空间群I2，单胞参数为a=7.398(6)，b=11.296(8)，c=8.245(10)，a=γ=90°，…… 查看详细 >

锑锌酸钾化合物、单晶体及其制备方法和用途

技术简介： 本发明涉及非线性光学材料及新型光致发光材料领域。该晶体其化学式为KZn4SbO7，分子量为534.33，属六方晶系，空间群P6(3)mc，单胞参数为a=6.141(3)，b=6.141(3)，c=9.948(6)，α=90°，β=90°…… 查看详细 >