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技术简介: 摘要:本发明公开了一种利用废旧含铅焊锡制备纳米氧化铅粉的方法,该方法将废弃电路板上分离所得的废旧含铅焊锡放入真空炉内,采用真空控氧法,向真空炉内通入空气将废旧焊锡氧化为氧化铅和二氧…… 查看详细 >
技术简介: 摘要:本发明公开了一种镓酸铋铁电薄膜材料及其制备方法,其薄膜材料生长在衬底材料上,镓酸铋分子式为BiGaO3,衬底为Si、LaNiO3/Si、Pt/TiO2/SiO2/Si、Pt/Ti/SiO2/Si其中之一;薄膜材料的空间…… 查看详细 >
TiO2量子点复合MoS2纳米花异质结半导体材料及其制备方法
技术简介: 摘要:本发明公开一种TiO2量子点复合MoS2纳米花异质结半导体材料,其包括MoS2纳米花和TiO2纳米颗粒;所述TiO2纳米颗粒均匀且大量分布在所述MoS2纳米花的表面,在花瓣上具有良好复合;所述TiO2纳…… 查看详细 >
技术简介: 摘要:本发明公开了一种用于难溶性药物递送的助溶高分子载体材料及其制备和载药应用,该高分子载体材料是由聚谷氨酰谷氨酰胺和难溶性药物的助溶小分子苯丙氨酸乙酯通过化学键连接组成。本发明的…… 查看详细 >
技术简介: 摘要:配位组装合成石墨烯的方法,它涉及一种石墨烯的合成方法。本发明解决了现有石墨烯制备方法存在尺寸不易控制、生产安全性差、厚度不均匀、生产成本高、反应所需设备复杂、反应条件苛刻、产…… 查看详细 >
技术简介: 摘要:膨胀石墨插层法制备介孔碳/石墨片复合材料的方法,它属于介孔碳与石墨片的复合材料的制备领域。本发明要解决现有介孔碳基碳复合材料生产成本高、反应所需设备复杂、反应条件苛刻、产量低…… 查看详细 >
技术简介: 摘要:一种基于碳纳米管制备三维碗状多孔碳材料的方法。本发明涉及一种多孔碳材料的制备方法,尤其涉及一种基于碳纳米管制备三维碗状多孔碳材料的方法。本发明是为解决现有方法中制备工艺繁琐、…… 查看详细 >
技术简介: 摘要:以玉米秸秆为碳源合成多孔纳米石墨片的方法,它属于纳米碳材料的制备领域。采用天然农林废弃物玉米秸秆为碳源,通过其与可作为催化剂原料的金属阳离子或配阴离子的配位作用制备多孔纳米石…… 查看详细 >
技术简介: 摘要:石墨烯负载纳米银镍合金复合粉体材料的制备方法,本发明涉及石墨烯负载纳米银镍合金复合材料的制备方法。本发明要解决现有技术制备的石墨烯负载纳米银镍合金复合材料存在分散不均匀、化学…… 查看详细 >
技术简介: 摘要:一种MgSAPO-31分子筛的合成方法,它涉及一种分子筛的合成方法,本发明是为了解决目前采用传统的硅源和铝源只能合成具有一种酸性位的分子筛,且晶化产物中容易形成杂晶的问题。合成方法:…… 查看详细 >
技术简介: 摘要:花形二氧化铈的制备方法,它涉及二氧化铈的制备方法。本发明解决了现有的二氧化铈的形貌不易调控,制得产物形状多为棒状、线状、管状及球形的技术问题。方法:一、将Ce(NO3)3·6H2O和L-半…… 查看详细 >
技术简介: 摘要:柿子饼形二氧化铈的制备方法,它涉及一种二氧化铈的制备方法。本发明解决了现有二氧化铈形貌不易调控,制得产物多为棒状、线状、管状及球形的技术问题。本方法如下:一、将Ce(NO3)3·6H2O…… 查看详细 >
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