异质结倍增层增强型AlGaN日盲雪崩光电二极管及其制备方法

技术简介： 本发明公开了一种异质结倍增层增强型AlGaN日盲雪崩光电二极管，其结构从下至上依次为AlN模板层、AlxGa1‑xN缓冲层、n型AlxGa1‑xN层、i型AlyGa1‑yN吸收层、n型AlyGa1‑yN分离层、i型AlyGa1‑yN…… 查看详细 >

基于绝缘层上硅技术快闪存储器结构光敏可控器件

技术简介： 基于SOI快闪存储器结构的NMOSFET光敏可控器件，包括p型半导体衬底，设有衬底接触电极，衬底上设有n型重掺杂源区和漏区，衬底上依次为隧穿氧化层、电荷存储层层、阻挡氧化层和控制栅。工作在电信…… 查看详细 >

基于快闪存储器结构的光敏可控器件

技术简介： 基于快闪存储器结构NMOSFET光敏可控器件，包括p型半导体衬底，衬底上设有n型重掺杂的源区和漏区，衬底上依次为隧穿氧化层、电荷存储层、阻挡氧化层和控制栅极，组成快闪存储器结构的NMOSFET光敏…… 查看详细 >

一种基于有源区材料的光学天线太赫兹探测器

技术简介： 一种基于有源区材料的光学天线太赫兹探测器，光学天线与晶体管栅极采用同一层多晶硅材料，厚度为100～300nm；光学天线分别置于晶体管的源极和漏极两端，天线边缘距离晶体管栅极边缘间距为100～5…… 查看详细 >

三端复合介质栅光敏探测器及其探测方法

技术简介： 三端复合介质栅光敏探测器，包括P型半导体衬底(1)、在所述衬底正上方依次设有底层绝缘介质(6)，光电子存储层(5)，顶层绝缘介质(4)，控制栅(3)；P型半导体衬底中靠近叠层介质的任一侧通过离子注…… 查看详细 >

PN结薄膜晶体管非挥发光电探测器

技术简介： PN结薄膜晶体管非挥发光电探测器，探测器结构包括硅(Si)衬底(1)，衬底正上方为一层绝缘介质称为体绝缘层(2)，体绝缘层正上方为掺杂不同的半导体薄膜层形成P型源极(3)和N型漏极(4)，在源极漏极分…… 查看详细 >

基于石墨烯碳纳米管复合吸收层的红外光探测晶体管

技术简介： 本发明提供了一种基于石墨烯碳纳米管复合吸收层的红外光探测晶体管。该晶体管包括自下而上依次设置的栅极金属层、衬底、栅极介质层、石墨烯/碳纳米管复合吸收层；所述石墨烯/碳纳米管复合吸收层…… 查看详细 >

一种基于环栅MOSFET结构的太赫兹传感器

技术简介： 本发明涉及一种环栅MOSFET结构太赫兹信号传感器。环栅MOSFET结构的栅极弯曲围绕源极形成环状，漏极分布在外围。相比传统的直栅MOSFET结构，环栅结构缩小了源极面积，减小了源端寄生电容。在探测…… 查看详细 >

ZnSnS薄膜与ZnSnS/SnS异质结的制备与太阳能电池应用

技术简介： 三元ZnSnS薄膜的制备方法，以玻璃、陶瓷或硅片镀有金属膜作为电极构成带电极的衬底材料、或采用ITO衬底，经清洗后在电解液中以脉冲电位法进行电沉积，电解液的温度为室温至45℃；电沉积过程：在…… 查看详细 >

一种基于特殊掺杂的超导铌薄膜材料的纳米线单光子探测器的制备方法

技术简介： 本发明公开了一种基于特殊掺杂的超导铌薄膜材料的纳米线单光子探测器的制备方法，包括如下步骤：将基片超声清洗并吹干；进行Ar离子洗；通过直流磁控溅射的方式生长特殊掺杂的超导Nb薄膜；旋涂电…… 查看详细 >

p-i-n结InGaN太阳电池制造方法

技术简介： 本发明公开了一种p-i-n结InGaN太阳电池制造方法，步骤为：清洗衬底；在衬底上生长GaN层；再生长全应变弛豫高In组分InGaN层；继续生长高In组分InGaN/GaN结构的InGaN超晶格层、高In组分n-InGaN层…… 查看详细 >

一种硅的中红外抗反射微结构的制备方法

技术简介： 本发明提供了一种硅的中红外抗反射微结构的制备方法，包括以下步骤首先通过绘图软件设计所需的刻蚀图案，然后在清洗过后的硅表面均匀涂覆一层紫外光刻胶，经过紫外曝光，通过显影液显影将绘图软…… 查看详细 >