基于ZnO半导体的数字化X射线影像探测器及其制备方法

技术简介： 本发明公开了一种基于ZnO半导体的数字化X射线影像探测器及其制备方法，包括基于ZnO半导体的光电转换器件、控制器、多路放大器、多路选择器、模数转换器及数据输出电路，基于ZnO半导体的光电转换…… 查看详细 >

一种光吸收增强的开口型硅薄膜球壳阵列结构的制备方法

技术简介： 一种光吸收增强的开口型硅薄膜球壳阵列结构的制备方法，在基材表面制备一层金属材料，在金属层表面制备紧密排列的单层二氧化硅纳米的粒子阵列，然后在粒子阵列上沉积硅薄膜，在硅薄膜表面制备聚…… 查看详细 >

沉积CsPbBr3纳米片薄膜光电探测器的制备方法

技术简介： 沉积CsPbBr3纳米片薄膜光电探测器的制备方法，将CsPbBr3纳米片十八烯溶液离心清洗后，分散到有机溶剂中；将多片图形化金叉指电极排列放在容器内，加入CsPbBr3纳米片有机溶剂分散液；容器敞口放…… 查看详细 >

一种垂直型多电流通道SiC光导开关及其制作方法

技术简介： 本发明公开了一种垂直型多电流通道SiC光导开关及其制作方法，首先采用lift‑off工艺将所需电极图形转移到SiC衬底一侧表面，利用磁控溅射工艺在SiC衬底电极图形上依次制作Ti层和W层，然后在W层上…… 查看详细 >

一种垂直结构LED芯片制备方法

技术简介： 本发明公开了一种垂直结构LED芯片制备方法，包括以下步骤：1)在异质衬底上利用外延生长方法获得具有LED结构的LED外延层；2)在LED外延层的上表面上利用激光加工出多道交错的沟槽，形成柱状包围氮…… 查看详细 >

一种柔性金字塔阵列GaN基半导体发光二级管及其制作方法

技术简介： 本发明公开一种柔性金字塔阵列GaN基半导体发光二级管及其制作方法，属于半导体技术领域。金字塔结构是在激光打孔得到的蓝宝石衬底上直接生长的，不仅操作简便而且形成3D的孔结构可用于减小位错…… 查看详细 >

一种微纳金字塔氮化镓基发光二极管阵列及其制备方法

技术简介： 本发明公开的一种微纳金字塔氮化镓基发光二极管阵列及其制备方法，属于半导体技术领域，包括以下步骤：步骤1：根据理论分析预测图形化衬底的孔径尺寸和金字塔生长参数，间距和金字塔形貌之间的…… 查看详细 >

一种无荧光粉的白光金字塔阵列氮化镓基半导体发光二极管及其制备方法

技术简介： 本发明公开的一种无荧光粉的白光金字塔阵列氮化镓基半导体发光二极管及其制备方法，属于半导体技术领域，该方法主要包括激光打孔尺寸的选择，金字塔的生长，器件的制作三部分。本发明提出了一种…… 查看详细 >

一种LED垂直芯片结构及制作方法

技术简介： 本发明涉及公开了一种LED垂直芯片结构及制作方法，所述LED垂直芯片结构自下到上依次设有衬底、石墨烯层、ZnO纳米墙/GaN层、n‑GaN层、InGaN/GaN多量子阱及p‑GaN。相比传统蓝宝石衬底LED芯片，…… 查看详细 >

一种发光半导体器件

技术简介： 本发明公开了一种发光半导体器件，包括N型半导体和依次设置于N型半导体一侧上的有源区、P型半导体和P电极，P型半导体具有粗糙表面，且在P型半导体的粗糙表面上采用PVD镀有光提取镀层，N电极设置…… 查看详细 >

一种绝缘介质薄膜固态发光器件发光增强方法

技术简介： 本发明公开了一种绝缘介质薄膜固态发光器件发光增强方法，并阐述了其增强发光的原理。固态发光器件由信号电极，背电极，发光单元构成，每个发光单元是由多层薄膜构成的MOS结构，各层薄膜采用不…… 查看详细 >

一种基于自旋塞贝克效应的热电转换器件结构

技术简介： 本发明公开一种基于自旋塞贝克效应的热电转换器件结构，包括基本U型结构；基本U型结构包括由下至上或者由上至下依次设置的第一磁性层、电极层和第二磁性层；第一磁性层由第一正自旋塞贝克系数磁…… 查看详细 >