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联系方式：0597-2601001，400-649-1633
技术简介： 本发明公开一种用于扇出式圆片级封装的散热构件及制造方法，所述构件包括若干芯片和圆形布线层，所述芯片的正面按矩阵式安置在所述布线层的背面上，所述芯片的背面和侧面以及布线层未被芯片覆盖…… 查看详细 >
技术简介： 本实用新型公开了一种采用脉动流及泡沫金属板强化散热装置，包括脉动泵、热沉室、积液腔和冷却器，所述脉动泵通过液体流入管将冷却液送入积液腔连接，积液腔通过分液器将冷却液喷入到热沉室，热…… 查看详细 >
技术简介： 本发明提供一种凸点下金属化层构件及制备方法，所述构件包括位于半导体衬底金属焊盘上方的第一层金属、位于所述第一层金属上方的第二层金属、位于所述第二层金属上方的第三层金属，其中所述第二…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种对称的集成层叠变压器，由衬底、自下而上依次设于衬底上的第一至第三层介质以及分别置于第一层介质中的网格状屏蔽栅、第二层介质中的初级线圈和第三层介质中的次级线圈构成；其…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开一种多叠层式纳米压电器件,由至少五层叠层而成矩形结构体，依顺序是氮化镓‑聚苯乙烯基质层Ⅰ、n型银掺杂氧化锌纳米线阵列层Ⅰ、氮掺杂石墨烯层、n型银掺杂氧化锌纳米线阵列层Ⅱ和氮…… 查看详细 >
技术简介：
本发明公开了一种含有Fe的纳米薄膜材料，包括绝缘基底以及镀在绝缘基底表面的纳米薄膜；所述纳米薄膜的化学式FexCry(BizSb1-z)2-x-ySe3表示，其中0
技术简介：
本发明公开了一种含Ni的纳米薄膜材料，包括绝缘基底以及镀在绝缘基底表面的纳米薄膜；所述纳米薄膜的化学式NixCry(BizSb1-z)2-x-ySe3表示，其中0
技术简介： 本发明公开了一种柔性场效应晶体管及其制备方法。所述柔性场效应晶体管包括间隔设置在柔性衬底上且位于同一平面的源极和漏极，所述源极和漏极之间经半导体导电沟道电连接；覆盖于所述半导体导电…… 查看详细 >
技术简介： 本实用新型公开了一种柔性场效应晶体管，涉及半导体技术领域。所述柔性场效应晶体管包括：间隔设置在柔性衬底上且位于同一平面的源极和漏极，所述源极和漏极之间经半导体导电沟道电连接，覆盖于…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种纳米有机-无机复合光伏材料，它包括如下重量百分比的组分：PVB树脂6%～10%；无水乙醇65%～80%；SnS：10%～25%；SnO2：0%～10%；KH550硅烷偶联剂1%～2%。本发明还公开了上述纳米…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种频率选择表面，包括100个单元、底板，所述单元排列成10行10列，每一行的单元在水平方向对齐，每一列的单元在垂直方向对齐，所述单元为正方形薄片，边长为5.8mm，厚度为0.1mm，…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种槽螺旋天线，包括底板部分和天线部分，所述天线部分覆盖于底板部分之上，所述天线部分为槽辐射平面螺旋天线，包括天线臂、槽缝隙，所述天线臂为双臂对称结构，所述槽缝隙为平面…… 查看详细 >
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