一种碳化硅基增强复合陶瓷及制备方法

技术简介： 本发明公开了一种碳化硅基增强复合陶瓷及制备方法，其特征在于，按重量百分数，包括下述组分：碳化硅粉末30％～40％、碳化硼粉末5％～17％、纳米碳黑9％～12％、金属硅40％～50％。先将碳化硅粉…… 查看详细 >

一种致密碳化硅陶瓷的制备方法

技术简介： 本发明公开了一种致密碳化硅陶瓷的制备方法碳化硅陶瓷特征在于，利用纯碳化硅或反应化合生成碳化硅的物质源在2250～2500℃下所发生的分解、化合反应，采用高温物理气相传输技术，以及对气相重新…… 查看详细 >

一种低压高能SiC半导体电嘴材料的制备方法

技术简介： 本发明公开了一种低压高能SiC半导体电嘴材料的制备方法，包括以下步骤1)按照体积配比，选取45～70％的SiC粉末，5～15％的ZrO2粉末，10～30％的Al2O3粉末，10～30％的构成玻璃体系复合氧化物粉末…… 查看详细 >

一种结合气固反应法制备重结晶碳化硅多孔陶瓷的方法

技术简介： 本发明公开了一种结合气固反应法制备重结晶碳化硅多孔陶瓷的方法，包括以下步骤1)将SiO粉末置于坩埚底部，按照质量百分比将70～95wt％的碳化硅和5～30wt％的纳米炭黑的混合粉末模压成型后形成生…… 查看详细 >

一种层状金属‑陶瓷复合材料零件的制备方法

技术简介： 本发明公开的一种层状金属‑陶瓷复合材料零件的制备方法，属于金属‑陶瓷复合材料复杂零件近净成形技术领域。采用的技术方案为通过光固化快速成型技术来制备内部具有层状结构的陶瓷浆料凝胶注模…… 查看详细 >

一种基于碳热还原制备无晶界相多孔氮化硅陶瓷的方法

技术简介： 本发明公开了一种基于碳热还原制备无晶界相多孔氮化硅陶瓷的方法，首先按重量百分比，将下述组分：氮化硅93～95％、烧结助剂5～7％混合，按常规多孔氮化硅的制备工艺获得气孔率为35-55％的多孔…… 查看详细 >

一种基于渗硅氮化制备无晶界相多孔氮化硅陶瓷的方法

技术简介： 本发明公开了一种基于渗硅氮化制备无晶界相多孔氮化硅陶瓷的方法，按重量百分比，将下述组分：氮化硅93～95wt％、烧结助剂5～7wt％混合，按常规多孔氮化硅的制备工艺获得气孔率为35～55％的多孔…… 查看详细 >

可控气孔率的氮化硅多孔陶瓷及制备方法

技术简介： 本发明公开了一种可控气孔率的氮化硅多孔陶瓷及制备方法，按重量百分比，包括下述组分：硅粉10～80％、氧化硅10.7～60.7％、烧结助剂5～10％、碳黑4.3～24.3％。烧结助剂选自IIa族氧化物、IIIa…… 查看详细 >

一种多孔Si₃N₄基体表面覆涂h-BN涂层的方法

技术简介： 一种多孔Si3N4基体表面覆涂h-BN涂层的方法，步骤为：一、按质量比将Si3N4、Y2O3、Al2O3和石油焦混合球磨制得料浆；二、将料浆干燥，过筛，将得到的粉末压成生坯，在N2气氛中烧结获得Si3N4基体；…… 查看详细 >

一种梯度多孔结构陶瓷的定制化成型方法

技术简介： 本发明公开了一种梯度多孔结构陶瓷的定制化成型方法，该方法以光固化快速成型并结合凝胶注模成型技术制备球孔与微管混合结构的多孔陶瓷制件，并且可以定制出各种复杂的型面结构。本方法为多孔陶…… 查看详细 >

一种空心叶片陶瓷铸型的光固化直接制造方法

技术简介： 本发明涉及一种基于光固化工艺直接制作空心叶片陶瓷铸型的制造方法，该方法首先将陶瓷粉末与预混液均匀混合后制备陶瓷浆料；其次根据空心叶片模型得到包含浇注系统的空心叶片铸型模型，将陶瓷浆…… 查看详细 >

一种陶瓷铸型坯体的真空冷冻干燥工艺

技术简介： 本发明涉及一种陶瓷铸型坯体的真空冷冻干燥工艺。其主要过程为：将用湿法成型的水基陶瓷铸型坯体放入真空冷冻干燥机中预冻，待坯体中水分完全结晶后，开始抽真空，并控制物料温度，使水分由冰直…… 查看详细 >