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技术简介: 摘要:本发明涉及一种基于循环移频方式的梳状谱发生系统及其应用方法。本系统包括外腔半导体激光器、3dB耦合器、偏振控制器、IQ调制器、相位调制器、光频率谱分析仪、余弦微波信号源、移相器、…… 查看详细 >
技术简介: 摘要:本发明公开了一种隧道环境多径与多普勒效应信道仿真器及方法。本仿真器包括数模转换电路、低通滤波电路、加法电路、压控振荡器、混频器、低通滤波器和高通滤波器。本仿真方法首先根据多径…… 查看详细 >
技术简介: 摘要:本实用新型公开了一种基于离子漏斗的质子转移离子源装置,包括一质子转移反应漂移区,所述质子转移反应漂移区的前端设有质子供体引入通道和载气引入通道,后端设有载气引出通道,所述质子…… 查看详细 >
技术简介: 摘要:本发明公开了一种碳基酸酐协同过渡金属脱硝催化剂及其制备方法。本发明将过渡金属和酸酐碳(包括氧化石墨烯、活性炭、碳纳米管、生物炭等)通过浸渍法超声溶解得到的混合物在300‑500℃惰…… 查看详细 >
技术简介: 摘要:本实用型新型公开了一种面积增大型吸气片。该吸气片由吸气基片(1)、定位孔(2)和半圆柱(3)组成,吸气基片(1)是外径为150~165mm、内径为80~90mm及厚度为2~3mm的纯钛圆环,吸气基片…… 查看详细 >
技术简介: 摘要:本发明涉及两步退火辅助氯化镍溶液诱导晶化非晶硅薄膜的方法,属于多晶硅薄膜制备工艺技术领域。用气相沉积法在载玻片衬底上沉积非晶硅薄膜;将溶有氯化镍的乙醇溶液加入到乙基纤维素、酒…… 查看详细 >
技术简介: 摘要:本发明涉及一种基于微机械加工工艺的自对准式TFT有源矩阵制造方法,该方法采用自对准式方法实现欧姆接触层的制作,从而使TFT有源矩阵的制造工艺难度大幅降低,提高制造成品率。区别于传统…… 查看详细 >
技术简介: 摘要:本发明公开了一种含有石墨烯过渡层的CdZnTe光电探测器及其制备方法,基于近空间升华方法,通过对沉积的CdZnTe膜进行溴甲醇腐蚀后,采用旋涂工艺在CdZnTe和Au电极之间制备石墨烯过渡层,从…… 查看详细 >
技术简介: 摘要:本发明公开了一种基于ZnO薄膜晶体管的集成式全固态中子探测器及其制备方法,在Si衬底上采用射频磁控溅射法制备一层高质量的ZnO薄膜,在此基础上采用光刻工艺制备ZnO薄膜晶体管紫外光探测…… 查看详细 >
技术简介: 摘要:本发明涉及一种金刚石辐射探测器的欧姆接触电极制备方法。属于金刚石辐射探测器制造工艺技术领域。本发明的要点是利用旋涂法在金刚石薄膜表面制备石墨烯层,再使用真空蒸镀或者电子束蒸发…… 查看详细 >
技术简介: 摘要:本发明公开了一种柔性基底剥离方法,在刚性材料基底之上依次制备连接层和反应层,然后以反应层上表面作为制备柔性基底的载体基板表面,在反应层上表面上制备柔性基底,再进行后续相应器件…… 查看详细 >
技术简介: 摘要:本发明公开了一种有机发光二极管封装方法,在对有机发光二极管加热键合完成之后对键合部位进行加热降温,即采用平滑降低加热温度的方式对键合部位进行降温,直至键合部位的温度降至常温。…… 查看详细 >
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