InGaN/GaN多量子阱单纳米柱LED器件及其制备方法

技术简介： 本发明公开了一种InGaN/GaN多量子阱单纳米柱LED器件，InGaN/GaN多量子阱纳米柱两端的n型GaN层和p型GaN层离金属电极膜的距离在100nm以内或直接接触金属电极膜，且中间的InxGa1-xN/GaN量子阱有源…… 查看详细 >

表面等离激元增强InGaN／GaN偏振出光LED及其制备方法

技术简介： 本发明公开了一种表面等离激元增强InGaN/GaN偏振出光LED，其结构从下至上依次为：基底层、n型GaN层、InxGa1‑xN/GaN多量子阱有源层、p型GaN层，其特征在于：所述p型GaN层被刻蚀成光栅结构，成为…… 查看详细 >

日盲紫外DBR及其制备方法

技术简介： 本发明公开了一种基于AlInGaN三层周期结构的日盲紫外DBR，其结构从下至上依次为：蓝宝石衬底、厚度为d1的Al0.5Ga0.5N模板层、DBR周期层，所述DBR周期层中包含n个周期，每个周期从下至上由厚度为…… 查看详细 >

一种硅基金属微腔电致发光器件及制备方法

技术简介： 种硅基金属微腔电致发光器件，自上至下为半透明金属反射镜，有源层，ITO电极，2-8个周期底部DBR、每周期厚度为共振光波长的二分之一，金属薄膜，石英基底；以SiC材料作为有源层，厚度为共振波长…… 查看详细 >

一种Ⅲ族氮化物外延晶体及其生长方法

技术简介： 本发明公开了一种III族氮化物外延晶体及其生长方法，自下而上依次包含衬底，第一III族氮化物外延层，石墨烯，图形化掩膜层，第二III族氮化物外延层。本发明的一种III族氮化物外延晶体具有低应力…… 查看详细 >

紫外发光二极管芯片及其制造方法

技术简介： 本发明公开了一种紫外发光二极管芯片，包括主要由衬底、n‑AlGaN层、多量子阱层、p‑AlGaN层、p‑GaN层组成的外延层，p电极和n电极，其特征在于：所述p‑AlGaN上的p‑GaN层被部分刻蚀形成具有多…… 查看详细 >

一种利用相分离技术制备纳米图案化蓝宝石衬底的方法

技术简介： 本发明公开了一种利用相分离技术制备纳米图案化蓝宝石衬底的方法。具体步骤包括：a)将一定质量比的聚苯乙烯和聚乙二醇溶解于甲苯中，得到聚苯乙烯/聚乙二醇/甲苯的共混溶液；b)将共混溶液旋涂于…… 查看详细 >

一种微纳米GaN衬底及发光二极管制备方法

技术简介： 一种微纳米GaN衬底的方法，通过光助法即紫外光照射的条件下腐蚀溶剂腐蚀GaN衬底，形成具有非极性/半极性面的微纳米结构的GaN模板；微纳米结构为六棱锥或者六棱柱；腐蚀溶剂采用强碱和氧化剂混合…… 查看详细 >

AlGaN异质结纳米柱阵列发光器件及其制备方法

技术简介： 本发明公开了一种AlGaN异质结纳米柱阵列发光器件，其结构自下至上依次包括一衬底；一生长在衬底上的GaN缓冲层；一生长在GaN缓冲层上的AlN插入层；一生长在AlN插入层上的AlxGa1‑xN层；并刻蚀形…… 查看详细 >

紫外半导体发光器件及其制造方法

技术简介： 本发明公开了一种紫外半导体发光器件及其制造方法。该半导体发光器件包括主要由n型层、量子阱层和p型层组成的外延结构层以及p型、n型电极，所述p型层上还依次设有石墨烯‑Ag纳米复合层和导电反…… 查看详细 >

紫外半导体发光器件

技术简介： 本实用新型公开了一种紫外半导体发光器件，其包括主要由n型层、量子阱层和p型层组成的外延结构层以及p型、n型电极，所述p型层上还依次设有石墨烯-Ag纳米复合层和导电反射层，所述石墨烯-Ag纳米…… 查看详细 >

一种集成传感单元的LED器件及其制造方法

技术简介： 本发明公开了一种集成传感单元的LED器件，在芯片上包含LED发光区域，以及传感单元；该传感单元为发光区域以外独立PN结的二极管；通过检测传感单元一定正向电流下的电压大小来监测该LED器件的结…… 查看详细 >