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技术简介: 本发明公开了一种新型的材料结构设计,在氟晶云母衬底上生长高质量碲化钨薄膜,获得一种结合了柔性和超大不饱和磁阻性质的新结构。所述碲化钨薄膜是W、Te元素以12化学计量比形成的化合物,它是…… 查看详细 >
技术简介: 本发明涉及一种有序可控纳米硅量子点阵列阻变存储器,属于非挥发性存储器技术领域。该存储器包括P+硅衬底材料,其特征在于:还包括附着在衬底材料上的阻变硅量子点多层膜纳米柱阵列,以及分别附…… 查看详细 >
技术简介: 本发明公开一种阻变存储器及其制备方法,所述存储器为依次由下电极、阻变层和上电极组成的叠层结构;所述阻变层依次由上层氧化铝薄膜、氧化铪薄膜和下层氧化铝薄膜构成;所述下电极为氮化钛;该…… 查看详细 >
技术简介: 本发明公开了一种纳米薄膜忆阻器,包括衬底,所述的衬底之上依次为下电极、记忆存储层、上电极;记忆存储层从下至上依次为氧化铝薄膜、氧化铪/氧化锌或者氧化铪/氧化铝耦合双层薄膜;本发明还公…… 查看详细 >
技术简介: 一种基于二维有机分子半导体的快速铁电晶体管存储器,以重参杂的p型硅为衬底,生长50‑250nm二氧化硅为绝缘层,在二氧化硅上通过热蒸镀的方法制备一层20‑50nm的金作为栅极,然后在栅极上旋涂一…… 查看详细 >
技术简介: 本发明公开了一种背接触钙钛矿太阳电池,包括从下至上结构1)导电型衬底;2)均匀电子传输层;3)介电层;4)金属层;5)钙钛矿层且具有若干孔道穿过介电层和金属层接触到电子传输层;6)钙钛矿层的保…… 查看详细 >
技术简介: 本发明涉及P-N结柔性太阳电池的制备方法,包括步骤:a.将CuCl2.2H2O,InCl3.4H2O,CH4N2S硫脲,放入酒精中,转移至高压釜中,反应温度为120-180℃,反应时间为6-12h,将产物CuInS2洗涤烘干;其中…… 查看详细 >
技术简介: 一种液相制备超薄二维电学功能性薄膜的方法,将有机聚合物分子材料或有机无机杂化钙钛矿材料溶解到有机主溶剂与微量反溶剂中,在30~80℃的条件下磁力搅拌1~4h,使其完全溶解混合,再冷却至室…… 查看详细 >
技术简介: 一种以过氧化氢为添加剂的锂‑氧气电池电解液的制备方法,属于锂空气电池领域。包括以下步骤(1)将锂盐真空干燥后与有机溶剂混合并搅拌至形成均一溶液;(2)将过氧化氢水溶液或纯过氧化脲晶体…… 查看详细 >
技术简介: 本发明公开了一种全固态锂硫电池的制备方法。该方法采用固相法高温烧结Li2CO3等原料得到全固态电解质,然后在全固态电解质片的一面蒸镀一层金属锂作为负极,在其另一面涂上硫碳复合材料作为正极…… 查看详细 >
技术简介: 一种基于碳纤维膜集流体的锂空气电池的制备方法,包含以下步骤:采用束流沉积的方法,通过控制纳米粒子束流对碳纤维膜集流体衬底沉积10s~3min,在碳纤维膜集流体衬底的表面上获得具有一定直径和…… 查看详细 >
技术简介: 本发明提供了一种锂离子电池柔性正极、其制备方法及超柔性锂离子全电池,本发明的锂离子电池柔性正极是由锂离子电池正极材料锰酸锂(650)和柔性骨架(150)形成的一体化独石电极。柔性正极的制…… 查看详细 >
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