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技术简介： 本发明提供一种自修复材料在3D打印中的应用。本发明以自修复材料作为3D打印材料，利用自修复材料的自修复功能，智能检测并自发的完成对材料的修复，从而可以预防材料由于产生微裂纹而存在的潜在…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种木质素-淀粉复合丁苯橡胶材料及其制备方法。所述复合丁苯橡胶材料由以下重量份数的原料组成：BR9000(30.00)，SBR1712(96.00)，白炭黑1165MP(70.00)，助剂(25.3)，木质素-淀粉复…… 查看详细 >
技术简介： 一种易施工和养护的高性能热固性环氧沥青混合料，它包括A、B、C和D四个组分，其特征是：A组分主要由环氧树脂、增韧剂、促进剂和稀释剂组成，B组分主要由固化剂、促进剂、相容剂和稀释剂组成，C…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种CdSeTe@SiO2核壳纳米材料，它是通过合成量子点内核，再在内核表面一层层覆盖二氧化硅外壳的方法合成得到的。本发明还公开了前述的CdSeTe@SiO2核壳纳米材料的制备方法。与现有技…… 查看详细 >
技术简介： 外延定向生长、转移和集成平面半导体纳米线的方法，步骤如下：1)对晶体衬底处理，去掉表面氧化层；2)蒸镀In、Sn诱导金属膜，生长出金属膜图案，膜厚度在几个纳米到几十个纳米；3)在PECVD系统中…… 查看详细 >
技术简介：
本发明涉及制备三元组分AlxGa1-xN纳米锥的方法，可以实现0
技术简介： 一种Fe3N材料的生长方法，在MOCVD系统中生长，包括以下步骤：1)对蓝宝石衬底进行表面氮化；2)通入载气N2、氨气以及有机镓源，在衬底上合成生长低温GaN缓冲层；3)将温度升高，生长GaN支撑层；4)…… 查看详细 >
技术简介： 一种用于半导体材料热壁外延生长系统的加热装置，包括射频加热器和石墨套筒，石墨套筒设置在射频加热器的感应加热线圈中，石墨套筒的内壁和外壁包覆有导热非易燃绝缘层，并置于惰性气体环境中。…… 查看详细 >
技术简介： 一种多片多源卧式氢化物气相外延生长系统，反应腔体为卧式结构，生长区中设有石墨支托，不同的反应源分别设有独立的输入管道，石墨支托上放置外延生长衬底。本发明提出一种多片多源式卧式氢化物…… 查看详细 >
技术简介： 制备GaN薄膜材料的方法，在GaN/蓝宝石复合衬底上蒸镀金属镍（Ni）薄膜，退火得到纳米Ni颗粒，然后采用电感耦合等离子体刻蚀（ICP）方式蚀刻未被Ni覆盖的GaN/蓝宝石复合衬底上的GaN，形成纳米结…… 查看详细 >
技术简介： 一种制备高质量柔性平面zigzag单晶硅纳米线的方法，1)、在平整的衬底上，利用光刻或其他图案选择定位技术，在选位区域蒸镀Sn或In等诱导金属膜，作为纳米线生长的初始位置；2)在PECVD系统中利用…… 查看详细 >
技术简介： AB堆垛双层石墨烯的制备方法及其设备：采用固态或液态碳氢化合物为碳源，控制挥发量，通过含高氢分压的惰性载气带到铜箔表面，利用常压化学气相沉积法催化生长双层石墨稀。碳氢化合物采用固体碳…… 查看详细 >
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