一种紫外LED封装器件

技术简介： 本发明公开了一种紫外LED封装器件。所述紫外LED封装器件包括氧化铝陶瓷基板、紫外LED芯片、铜镀层、CuAlO2过渡层、硅树脂固层和石英玻璃；所述紫外LED芯片包括正电极和负电极，该芯片固定在氧化…… 查看详细 >

一种大功率紫外LED芯片共晶焊倒装结构

技术简介： 本发明公开了一种大功率紫外LED芯片共晶焊倒装结构，主要包括LED芯片、矽胶层、封装胶层、透镜和增透膜、反射杯、微型PCB基板、铜层、导电导热胶层和焊盘；所述PCB基板包括上表层、中间层和下表…… 查看详细 >

一种LED 倒装结构

技术简介： 本实用新型公开了一种LED倒装结构，LED芯片上均匀涂覆矽胶，矽胶表面上再涂有荧光胶；所述荧光胶上表面设有透镜，所述透镜上表面设有减反膜，所述减反膜上表面还设有封装胶层。所述矽胶、荧光胶…… 查看详细 >

一种LED倒装结构

技术简介： 本发明公开了一种LED倒装结构，LED芯片上均匀涂覆矽胶，矽胶表面上再涂有荧光胶；所述荧光胶上表面设有透镜，所述透镜上表面设有减反膜，所述减反膜上表面还设有封装胶层。所述矽胶、荧光胶均依…… 查看详细 >

一种发光二极管飞盘状支架

技术简介： 本发明是一种发光二极管飞盘状支架。包括有内部热沉（2）、金属引脚（3），其中金属引脚（3）装设在内部热沉（2）的两端，且内部热沉（2）和金属引脚（3）通过基座（1）封装成一体，内部热沉（2…… 查看详细 >

一种易封装易散热倒装高压LED芯片

技术简介： 本发明提出了一种易封装、易散热的倒装高压LED芯片及其制作方法，包含蓝宝石衬底、外延层、p和n电极、封装基板，对这种结构芯片进行倒装封装时，能够避免芯片电极过小和基板电路焊点过密所造成…… 查看详细 >

一种倒装结构的三族氮化物微纳发光器件及其制备方法

技术简介： 本发明公开了一种倒装结构的三族氮化物微纳发光器件，包括发光器件本体，所述发光器件本体自上而下依次有第一n型三族氮化物层(1)、图形化掩膜层(2)、第二n型三族氮化物层(3)、三族氮化物有源层(…… 查看详细 >

一种提高紫外LED光输出功率的外延结构

技术简介： 本发明公开了一种提高紫外LED光输出功率的外延结构，所述外延结构自下而上包括依次设置的衬底，GaN缓冲层，未掺杂的GaN层，掺杂N型GaN层，AlGaN/GaN多量子阱结构，插入层，电子阻挡层EBL，P型Ga…… 查看详细 >

一种紫外LED倒装芯片

技术简介： 本发明公开了一种紫外LED倒装芯片，包括从下往上依次设置的基板、布线层和芯片外延层；本发明通过刻蚀工艺将芯片外延层的一部分去除，形成用于设置n电极的n型半导体区域，并在芯片外延层内分别…… 查看详细 >

一种紫外LED外延结构

技术简介： 本申请提供一种紫外LED外延结构，包括衬底；依次生长在所述衬底上的未掺杂缓冲层、N型AlGaN层、多量子阱结构、超晶格结构、电子阻挡层、P型AlGaN层和P型GaN层；其中，所述超晶格结构包括至少一…… 查看详细 >

一种深紫外LED

技术简介： 本申请提供一种深紫外LED，包括衬底；位于所述衬底表面的未掺杂的缓冲层；位于所述未掺杂的缓冲层背离所述衬底表面的N型AlGaN层；位于所述N型AlGaN层背离所述衬底表面的多量子阱结构；位于所述…… 查看详细 >

一种实现短波长紫外LED的外延结构

技术简介： 本发明公开了一种实现短波长紫外LED的外延结构，所述外延结构自下而上包括依次设置的衬底、GaN缓冲层、未掺杂的GaN层、掺杂N型GaN层、多量子阱AlGaN/GaN层、P型AlGaN电子阻挡层、渐变P型AlGaN层…… 查看详细 >