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技术简介: 简要综述该成果离散型数字化工厂系统JDDFS获中国轻工联合会、中国石油化工联合会、中国商业联合会、中国质量协会、江苏省机械工业等科技进步奖一等奖1个、二等奖4个、三等奖3个。具体介绍1、项…… 查看详细 >
技术简介: 摘要:本发明公开了一种PCB接线端子自动组装机,能实现接线端子的自动化组装,为了方便使用,本机器还包括1个控制面板可以提供人机界面,观察组装进程。本发明提供了一种PCB接线端子的自动组装…… 查看详细 >
技术简介: 摘要:本发明公开了一种基于喷墨打印的导电线路印刷工艺,所述工艺包括如下具体步骤(1)基材预处理利用空气等离子体、硅烷偶联剂溶液先后对基材表面进行处理;(2)墨水制备将催化剂盐溶解在溶剂中…… 查看详细 >
技术简介: 摘要:本发明提供了一种基于人工神经网络的永磁同步电机自整定速度控制器。以速度环的小信号模型为基础,结合PID控制器物理意义明显、结构简单的优势,以及神经网络强大的自适应能力,本发明设…… 查看详细 >
技术简介: 摘要:本发明提供了一种基于MANDANI模糊控制器的感应电机调速方法。本发明以感应电机的速度误差及其误差变化量作为MAMDANI模糊推理系统的输入,模糊推理控制器的输出经过一个积分环节作为感应电…… 查看详细 >
技术简介: 摘要:本发明公开了一种LED硅太阳电池光诱导氢钝化与缺陷修复装置,包括用于放置硅太阳电池的温度保持恒定的检测台,还包括一个LED光源系统,包括用于发出光线的LED阵列;一个光学汇聚系统,设…… 查看详细 >
技术简介: 摘要:本发明涉及一种基于纳米线技术的新型片上集成光耦,可以实现光耦在片上系统的集成。本发明主要结构分为发光部分、光波导部分和光敏部分,其特点是发光部分和光敏部分采用纳米线结构的LED…… 查看详细 >
技术简介: 摘要:本实用新型公开了一种利用氟离子注入实现的氮化镓PN结。该氮化镓PN结包括衬底,位于衬底上的n型氮化镓半导体层和嵌于n型氮化镓半导体层中部区域的p型氮化镓半导体层。其中,n型掺杂氮化镓…… 查看详细 >
一种PMOS触发LDMOS-SCR结构的高维持电压ESD保护器件
技术简介: 摘要:一种PMOS触发LDMOS‑SCR结构的高维持电压ESD保护器件,可用于片上IC高压ESD保护电路。主要由P衬底、N阱、P阱、第一P+注入区、第二P+注入区、N+注入区、第三P+注入区、第四P+注入区、金属…… 查看详细 >
技术简介: 摘要:一种具有源端内嵌叉指NMOS的LDMOS-SCR器件,可用于提高片上IC的ESD保护可靠性。主要由P衬底、P外延、P阱、N阱、第一N+注入区、第二N+注入区、第一P+注入区、第三N+注入区、第四N+注入区、…… 查看详细 >
技术简介: 摘要:一种具有类鳍式LDMOS结构的高压ESD保护器件,可用于片上IC高压ESD保护电路。主要由P衬底、P阱、N阱、第一场氧隔离区、第一P+注入区、第一N+注入区、第一鳍式多晶硅栅、第二N+注入区、第二…… 查看详细 >
技术简介: 摘要:一种太阳能硅片水中分片装置,包括正面喷射部分,左侧喷射部分和右侧喷射部分,正面喷射进水管,左侧喷射进水管,右侧喷射进水管。所述正面喷射部分的一端与分水管相连,正面喷射板上开有微…… 查看详细 >
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