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技术简介: 摘要:本实用新型提供了一种基于Ge2Se2Te5的忆阻器,从上往下依次包括上导电电极、中间功能层和下导电电极,中间功能层采用Ge2Se2Te5材料。本实用新型忆阻器能够在循环的正负电压下进行稳定快速…… 查看详细 >
技术简介: 摘要:本发明公开了一种磁隧道结及其制备方法。磁隧道结包括第一电极层,以及依次形成在第一电极层上的第一磁性层、绝缘隧穿层、第二磁性层和第二电极层;第一磁性层和第二磁性层至少其中之一为…… 查看详细 >
技术简介: 摘要:本实用新型属于LED封装技术,为一种自由曲面透镜。自由曲面透镜的外表面为自由曲面,作为光学出射面,内表面为向透镜外表面延伸的平底凹槽,作为自由曲面透镜的光学入射面。在完成固定LED…… 查看详细 >
技术简介: 摘要:本发明公开了一种远离荧光粉胶涂覆方法及产品,属于LED封装领域。其包括如下步骤,S1先将荧光粉胶涂覆在曲面透镜的内凹面上,接着将所述曲面透镜内凹面朝上静置直到所述荧光粉胶形貌稳定…… 查看详细 >
技术简介: 摘要:一种三维量子阱结构光电裸芯片,属于一种量子阱结构光电裸芯片,解决现有三维量子阱结构光电裸芯片工作面积有限、工艺复杂、成本高的问题。本实用新型自下而上包括:衬底层、缓冲层、n型…… 查看详细 >
技术简介: 摘要:本发明主要属于纳米光电器件制备领域,具体涉及一种基于纳米筛掩模的纳米光电器件制备方法。通过人工生成的纳米孔阵列膜(支撑层)制备获得纳米筛掩模;将制备好的纳米筛掩模转移到光电器件…… 查看详细 >
技术简介: 摘要:本发明公开了一种二硫化钼/硅异质结太阳能电池及其制备方法,化学气相沉积(CVD)方法可制得大面积、均匀、高结晶的二硫化钼膜,该材料具有较高的载流子迁移率且带隙可调控,制备的二硫化…… 查看详细 >
技术简介: 摘要:本发明公开了一种基于二硫化钼的肖特基太阳电池的制备方法,利用金属钯与二硫化钼形成肖特基异质结,在石英衬底上制备薄膜太阳能电池。纳米层状二硫化钼薄膜的制备采用化学气相沉积法实现…… 查看详细 >
技术简介: 摘要:本实用新型公开了一种硬币计数分类整理机,它包括一个中心铁转盘,三个环形铁转盘,一个机械臂,所述三个环形铁转盘依次套在中心铁转盘的外周且相互之间可以独立转动,所述中心铁转盘和三…… 查看详细 >
技术简介: 摘要:一种大田作物信息采集机器人,包括宽度可调节移动平台,在可调节移动平台上设有动力系统、半自动GPS导航系统、信息采集系统、电路控制系统、机器人运行管理系统、施药补水系统及遮光与自…… 查看详细 >
技术简介: 摘要:本发明属于农业测控技术领域,具体涉及一种农业装备参数测控系统,该系统可利用各类传感器对农业机械运行过程中的多种信号进行采集,经调理后接入多功能数据采集卡或单片机系统的过程通道…… 查看详细 >
技术简介: 户外柱上开关自动化终端(FTU)是专门针对配电网中各种类型柱上开关应用而设计的馈线自动化终端(FTU)。可扩展的体系架构、完备的功能、强大的通信能力、安全可靠的性能、灵活便捷的安装结构是实现…… 查看详细 >
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