一种Fe₃N材料的生长方法

技术简介： 一种Fe3N材料的生长方法，在MOCVD系统中生长，包括以下步骤：1)对蓝宝石衬底进行表面氮化；2)通入载气N2、氨气以及有机镓源，在衬底上合成生长低温GaN缓冲层；3)将温度升高，生长GaN支撑层；4)…… 查看详细 >

一种用于半导体材料热壁外延生长系统的加热装置

技术简介： 一种用于半导体材料热壁外延生长系统的加热装置，包括射频加热器和石墨套筒，石墨套筒设置在射频加热器的感应加热线圈中，石墨套筒的内壁和外壁包覆有导热非易燃绝缘层，并置于惰性气体环境中。…… 查看详细 >

一种多片多源卧式氢化物气相外延生长系统

技术简介： 一种多片多源卧式氢化物气相外延生长系统，反应腔体为卧式结构，生长区中设有石墨支托，不同的反应源分别设有独立的输入管道，石墨支托上放置外延生长衬底。本发明提出一种多片多源式卧式氢化物…… 查看详细 >

一种制备GaN薄膜材料的方法

技术简介： 制备GaN薄膜材料的方法，在GaN/蓝宝石复合衬底上蒸镀金属镍（Ni）薄膜，退火得到纳米Ni颗粒，然后采用电感耦合等离子体刻蚀（ICP）方式蚀刻未被Ni覆盖的GaN/蓝宝石复合衬底上的GaN，形成纳米结…… 查看详细 >

一种制备高质量柔性单晶硅纳米线的方法

技术简介： 一种制备高质量柔性平面zigzag单晶硅纳米线的方法，1)、在平整的衬底上，利用光刻或其他图案选择定位技术，在选位区域蒸镀Sn或In等诱导金属膜，作为纳米线生长的初始位置；2)在PECVD系统中利用…… 查看详细 >

同步生长晶圆级AB堆垛双层石墨烯的制备方法及其设备

技术简介： AB堆垛双层石墨烯的制备方法及其设备：采用固态或液态碳氢化合物为碳源，控制挥发量，通过含高氢分压的惰性载气带到铜箔表面，利用常压化学气相沉积法催化生长双层石墨稀。碳氢化合物采用固体碳…… 查看详细 >

在ZnO单晶衬底上低温生长高质量ZnO薄膜材料的方法

技术简介： 在ZnO单晶衬底上低温生长高质量ZnO薄膜材料的方法，包括如下步骤：1)选取ZnO单晶作为生长衬底；选取极性面是Zn极性面作为生长衬底；2)对衬底进行预处理；3)进行ZnO薄膜的低温生长；衬底表面温度…… 查看详细 >

一种用于高效可见光催化水分解的锌镉氧合金单晶薄膜及其制备

技术简介： 本发明涉及一种用于高效可见光催化水分解的锌镉氧合金单晶薄膜，所述的ZnCdO合金单晶薄膜的禁带宽度在2.1‑3.3eV范围内可调，覆盖大部分太阳光谱，将ZnCdO合金单晶薄膜与铟金属形成欧姆接触。本…… 查看详细 >

一种钇铁石榴石薄膜的外延生长方法

技术简介： 钇铁石榴石薄膜的外延生长方法，将装有处理好的钆镓石榴石基片的置真空腔室，并将钆镓石榴石基片加热到恒定温度736℃；加热过程中，加热到250℃的时候通入臭氧；加热至736℃之后，保持真空腔气…… 查看详细 >

一种Fe掺杂生长GaFeN稀释磁性半导体的方法及其用途

技术简介： Fe掺杂生长GaFeN稀释磁性半导体薄膜材料合成方法是：采用MOCVD生长方法，(1)在蓝宝石衬底上高温氮化处理衬底材料，在MOCVD生长系统中通入H2、N2或H2和N2气体对蓝宝石衬底进行1000－1100℃温度下…… 查看详细 >

一种立式氢化物气相外延生长系统

技术简介： 一种立式氢化物气相外延生长系统，包括反应腔体、石墨支托、外延生长衬底、真空装置和加热系统，石墨支托设置在反应腔体的生长区，其特征是反应腔体为立式结构，反应腔体内生长区高度1～10cm，…… 查看详细 >

一种具有巨大磁电阻的HfTe5‑δ晶体及其生长方法

技术简介： 本发明公开了一种具有巨大磁电阻的HfTe5‑δ晶体及其生长方法。本发明的HfTe5‑δ晶体呈带状，长度尺寸范围为0.5‑2cm，δ的值为0.02～0.12。当δ的值为0.06时，HfTe5‑δ晶体在2K温度和9T磁场…… 查看详细 >