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用于制备埋入式薄膜电阻的活化剂、埋入式薄膜电阻的制备方法及埋入式薄膜电阻
技术简介: 本发明涉及一种用于制备埋入式薄膜电阻的活化剂、埋入式薄膜电阻的制备方法及埋入式薄膜电阻。该用于制备埋入式薄膜电阻的活化剂包括水、硫酸锌、DL-苹果酸钠和锌粉,其中,所述硫酸锌的浓度为2…… 查看详细 >
技术简介: 本发明适用于真空镀膜技术领域,公开了一种辐射式蒸发加热器及该辐射式蒸发加热器的制造方法。辐射式蒸发加热器包括加热室、蒸发皿和电源连接器件,蒸发皿连接于加热室或与加热室一体成型,加热…… 查看详细 >
技术简介: 本发明提供了一种具有金刚石涂层的硬质合金件,包括硬质合金基体,以及依次设置于所述基体上的碳化硅层、碳化硅‑金刚石梯度复合涂层和金刚石涂层,所述碳化硅‑金刚石梯度复合涂层中,沿厚度方…… 查看详细 >
技术简介: 本发明涉及一种制备掺铝氧化锌透明导电薄膜的方法,采用低沸点溶剂和稳定剂与易水解原料配制旋涂液,旋涂于亲水基片上,经老化、热处理和气氛退火步骤,得到AZO透明导电薄膜。本发明的方法原料…… 查看详细 >
技术简介: 本发明提供了一种基于金刚石晶体的复合材料的制备方法,包括:在碳纳米管和/或碳纤维的表面上形成阻隔层;在阻隔层上形成用于引导金刚石晶体沉积的形核位点;在阻隔层上沉积金刚石涂层。采用本…… 查看详细 >
技术简介: 本发明涉及一种埋入式电阻合金材料、埋入式电阻薄膜及其制备方法。该埋入式电阻合金材料按质量百分比计,包括镍80~97%、钼0.1~8%和磷2~12%。将该埋入式合金材料制成埋入式电阻薄膜,经实验表…… 查看详细 >
技术简介: 本发明适用于真空镀膜技术领域,提供了一种硬质合金衬底的金刚石/碳化硼复合涂层及制备方法。所述硬质合金衬底的金刚石/碳化硼复合涂层,包括沉积在硬质合金衬底上的碳化硼层,沉积在所述碳化硼…… 查看详细 >
表达光敏感型腺苷酸环化酶的重组载体、其应用、构建方法及脱髓鞘疾病的治疗系统
技术简介: 本发明涉及一种用于表达光敏感型腺苷酸环化酶的重组载体、其应用、构建方法及脱髓鞘疾病的治疗系统。该用于表达光敏感型腺苷酸环化酶的重组载体包括病毒载体和包装于所述病毒载体中的带有光敏感…… 查看详细 >
技术简介: 本发明涉及一种埋入式薄膜电阻材料及其制备方法。该埋入式薄膜电阻材料按原子百分比计,包括镍50~76%、铬10~18%、碳10~30%和钨0.5~5%。通过磁控溅射技术把镍、铬、碳和钨原子沉积于铜箔衬底…… 查看详细 >
带MYC标签的LAMP1真核表达载体及其在溶酶体分离中的应用
技术简介: 本发明属于分子生物学技术领域,具体公开了一种带Myc标签的LAMP1真核表达载体及其应用。本发明所述带Myc标签的LAMP1真核表达载体中带Myc标签的LAMP1的核苷酸序列如SEQNO.1所示,通过将LAMP1基因…… 查看详细 >
带Flag标签的LAMP1真核表达载体及其在溶酶体分离中的应用
技术简介: 本发明属于分子生物学技术领域,具体公开了一种带Flag标签的LAMP1真核表达载体及其应用。本发明所述带Flag标签的LAMP1真核表达载体中带Flag标签的LAMP1的核苷酸序列如SEQNO.1所示,通过将LAMP1…… 查看详细 >
技术简介: 本发明公开了一种利用餐厨垃圾发酵制备的饲用二十二碳六烯酸(DHA)添加剂及其制备方法,所述饲用DHA添加剂是由产DHA菌株的发酵液喷雾干燥获得,所得饲用DHA添加剂的DHA含量较高。制备方法如下:…… 查看详细 >
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