一种衬底修饰的化学气相沉积生长大尺寸单层二硫化钼薄膜的方法

技术简介： 本发明提出一种衬底修饰的化学气相法生长大尺寸单层二硫化钼的方法。以硫化氨为衬底表面修饰剂，通过控制修饰剂的浓度、浸泡时间、清洗方法等手段控制成核率，通过控制化学气相沉积的生长温度、…… 查看详细 >

生长非极性面GaN薄膜材料的方法及其用途

技术简介： 非极性面GaN薄膜材料的控制生长方法，在MOCVD系统中生长，通过选择[1120]的R面蓝宝石做衬底材料，首先，在MOCVD系统中对生长的R面蓝宝石衬底在900－1100℃温度下进行材料热处理，时间为5－60分…… 查看详细 >

一种制备高质量ZnO材料的方法

技术简介： 一种生长高质量氧化锌薄膜材料的方法，选用蓝宝石片作为生长氧化锌薄膜材料的衬底；将清洗过的蓝宝石衬底放在金属有机化学气相外延设备的反应室衬底底座上；将反应室抽真空至3*10-3Pa以下，以排…… 查看详细 >

化学气相淀积材料生长设备的反应源进气分配方法与装置

技术简介： CVD材料生长设备的反应源进气分配的方法，让分解温度相差较大的反应气源经各自的输运通道单独地进入反应腔体，并对分解温度较高的源气体进行加热预分解后再让其与分解温度较低的反应源气体充分…… 查看详细 >

利用ALD制备金属纳米间隙的表面增强拉曼散射基底的方法

技术简介： 本发明公开一种利用ALD制备金属纳米间隙的表面增强拉曼散射基底的方法，具体如下（a）清洗衬底；（b）在衬底表面生成生成金属纳米颗粒；（c）在衬底表面沉积一层氧化物薄膜；（d）衬底表面再次…… 查看详细 >

一种应用于小型MOCVD系统的高温加热装置

技术简介： 一种应用于小型MOCVD系统的高温加热装置，包括加热元件、电炉盘和电极连接线，加热元件上面设有盖板，电炉盘底部预留若干孔洞，连接加热元件的电极连接线有陶瓷管加以保护；加热装置外部由不锈…… 查看详细 >

一种调控金属纳米颗粒在树脂载体内分布的方法

技术简介： 本发明公开了一种调控金属纳米颗粒在树脂载体内分布的方法。它是以具有碱性功能基团的离子交换树脂或吸附树脂为载体，先将金属以络合阴离子的形式通过离子交换作用导入到树脂载体上，然后通过改…… 查看详细 >

一种溶胶凝胶二氧化硅薄膜的制备方法

技术简介： 本发明公开一种溶胶凝胶二氧化硅薄膜的制备方法，包括以下步骤：a、按质量比2.12：0.75：0.43：1称取乙醇、去离子水、甲酰胺和正硅酸四乙酯，将上述组分混合均匀；b、将步骤a中得到的溶液的pH调…… 查看详细 >

一种布拉格反射镜增强InGaN电极、制备与利用

技术简介： 本发明涉及一种分布布拉格反射镜增强InGaN的电极，在衬底从下至上依次包括GaN层、厚度50nm-5um，InGaN层、10nm-1um，从InGaN层暴露出的部分GaN层上设有n电极；衬底另一面为DBR层；所述DBR层由高…… 查看详细 >

一种电连接剂制备光催化分解水颗粒膜电极的方法

技术简介： 本发明一种通过电连接剂制备光催化分解水颗粒膜电极的方法，1)室温条件下，将金属盐、掺杂元素的化合物及有机溶剂配成前驱体；2)通多电泳沉积的方法制备光催化分解水颗粒膜电极；3)将2)得到的颗…… 查看详细 >

制备钛酸镧氧氮化物高效光电极材料的方法

技术简介： 制备钛酸镧氧氮化物高效光电极材料的方法：利用固相反应法制备LaTiO2N的前驱体La2Ti2O7，按照La2Ti2O7的La与Ti的摩尔量配比称取La2O3和TiO2；混合均匀并充分研磨；将混匀的原料在800°C~1000°C煅…… 查看详细 >

一种Ta₃N₅光阳极及制备方法和应用

技术简介： 本发明涉及一种Ta3N5光阳极及制备方法和应用，基于金属Ta片先高温氧化再氮化的方法，通过自动热剥离或机械剥离表面钝化层的方法消除了表面复合中心，大大提高了光生载流子的分离，从而显著提高…… 查看详细 >