AlGaN日盲紫外增强型雪崩光电探测器及其制备方法

技术简介： 本发明公开了一种AlGaN日盲紫外增强型雪崩光电探测器，其结构从下至上依次包括一维光子晶体层、AlN/蓝宝石模板层、i型AlxGa1‑xN层、n型AlxGa1‑xN层、i型Aly1Ga1‑y1N层、n型AlyGa1‑yN组分渐…… 查看详细 >

一种带相位光栅的超导单光子探测器及其制备方法

技术简介： 本发明公开了一种带相位光栅的超导单光子探测器及其制备方法。该带相位光栅的超导单光子探测器在常规基于基于氮化铌的超导单光子探测器的纳米线区上设置有相位光栅。相位光栅的栅高为入射光波长…… 查看详细 >

一种基于氧掺杂碲化锌纳米线阵列的太阳电池及制备方法

技术简介： 本发明公开了基于氧掺杂碲化锌纳米线阵列的太阳电池，自上而下依次为：包裹了氧化锌/氧掺杂碲化锌/碲化锌三层同轴包覆的纳米线阵列顶端的n型AZO透明导电薄膜、氧化锌/氧掺杂碲化锌/碲化锌三层同…… 查看详细 >

一种表面等离激元增强的超导单光子探测器及其制备方法

技术简介： 本发明公开了一种表面等离激元增强的超导单光子探测器及其制备方法。该超导单光子探测器在基于氮化铌的超导单光子探测器的纳米线区表面布置有金纳米颗粒。其制备方法包括将含有十二烷基硫醇-金…… 查看详细 >

超导纳米线单光子探测器及其制备方法

技术简介： 本发明公开了一种超导纳米线单光子探测器，由N个串联的超导纳米线单元、N个不同阻值的并联电阻和光学谐振腔组成，所述N个不同阻值的电阻分别并联在N个超导纳米线单元的两端，所述光学谐振腔覆盖…… 查看详细 >

一种纳米材料电子与光电子器件及制备方法

技术简介： 一种纳米材料电子与光电子器件，器件的结构包括衬底、下电极、纳米材料、绝缘介电层和上电极五个部分，所述的绝缘介电层选择金属氧化技术获得绝缘介电层，上下电极与纳米材料形成良好的电学接触…… 查看详细 >

基于蝶形等离激元天线增强的纳米线中间带太阳能电池结构

技术简介： 本发明公开了基于蝶形等离激元增强天线的纳米线中间带太阳能电池结构，二氧化硅或石英衬底上为平躺的氧掺杂碲化锌/氧化锌核壳结构纳米线，氧化锌在外层，氧掺杂碲化锌/氧化锌核壳结构的纳米线长…… 查看详细 >

太阳能电池及其制备方法

技术简介： 太阳能电池，在衬底上设有电极和太阳能电池薄膜，太阳能电池的上表面设有电极，所述薄膜型太阳能电池含有块状或条状拼接的两或三组分薄膜材料，其构成是InTaO4/InVO4、InNbO4/InVO4或InNbO4/InV…… 查看详细 >

一种带隙渐变硅量子点多层膜的太阳电池及制备方法

技术简介： 带隙渐变硅量子点多层膜的太阳电池，包括p型硅衬底，p型硅衬底上设有渐变厚度的多层非晶硅/碳化硅膜结构，渐变厚度的非晶硅/碳化硅指硅量子点/碳化硅多层膜结构，由p型硅衬底、碳化硅本征层即i…… 查看详细 >

极化增强的p-i-n结InGaN太阳电池

技术简介： 本发明公开了一种极化增强的p-i-n结InGaN太阳电池，其结构由下至上依次为：衬底、GaN层、全应变弛豫高In组分InyGa1-yN层、InGaN超晶格层、高In组分n-InyGa1-yN层、高In组分i-InxGa1-xN层、高In…… 查看详细 >

基于六氮五铌薄膜的室温红外检测器及其制备方法

技术简介： 本发明公开了一种基于六氮五铌薄膜的室温红外检测器，包括硅衬底，所述硅衬底上的二氧化硅层，所述二氧化硅层上的六氮五铌薄膜热敏层，以及所述六氮五铌薄膜热敏层两端与外部电路相连的金属薄膜…… 查看详细 >

一种红外量子阱光电探测器的吸收结构

技术简介： 本发明公开了一种红外量子阱光电探测器的吸收结构，属于亚波长光子学中光学器件领域。该吸收结构用于耦合入射电磁波到量子阱活性区域，包括上金属层、中间半导体层和下金属层，其中，上金属层为…… 查看详细 >