基于复合介质栅MOSFET光敏探测器的多功能曝光成像方法

技术简介： 基于复合介质栅MOSFET光敏探测器的多功能曝光成像方法，曝光成像的步骤是:在衬底加一负偏压脉冲Vb，源极或漏极的一端加一正向电压脉冲Vp且另一端浮空、或源极漏极同时加一电压压脉冲Vp，源极和…… 查看详细 >

基于光敏复合介质栅MOSFET探测器的彩色成像方法

技术简介： 基于光敏复合介质栅MOSFET探测器的彩色成像方法，在栅极上加不同的电压脉冲，使MOSFET工作在深耗尽状态，根据所加栅极电压不同使耗尽区的深度不同，以此结合不同波长的光在硅中的穿透深度不同的…… 查看详细 >

基于复合介质栅MOSFET光敏探测器源漏浮空编程方法

技术简介： 基于复合介质栅MOSFET光敏探测器源漏浮空编程方法，复合介质栅MOSFET光敏探测器单元结构包括：P型半导体衬底（1），半导体衬底正上方依次设有底层绝缘介质（5），电荷存储层（4），顶层绝缘介质…… 查看详细 >

分裂栅型MOSFET成像探测器及其操作方法

技术简介： 本发明提出一种分裂栅型MOSFET成像探测器及其操作方法，分裂栅型MOSFET结构为在P型衬底正上发设有两层绝缘介质层和控制栅极，两层绝缘介质层之间设有光电子存储层；控制栅极的两侧设有选择栅极…… 查看详细 >

基于复合介质栅MOSFET的双晶体管光敏探测器及其信号读取办法

技术简介： 基于复合介质栅MOSFET的双晶体管光敏探测器，每个单元探测器都是由两个晶体管构成，利用两个晶体管分别实现感光和读取功能即感光晶体管和读取晶体管：两个晶体管都是形成在复合介质栅MOSFET基底…… 查看详细 >

基于复合介质栅结构像素单元的成像阵列及其曝光操作方法

技术简介： 本发明提出了一种基于复合介质栅结构的像素单元的成像阵列及其曝光操作方法，像素单元采用复合介质栅结构的光敏探测器，每个像素单元的源区和漏区是对称的，通过注入形成的P型衬底（1），相邻像…… 查看详细 >

一种基于闪存工艺的三维图像传感器及其操作方法

技术简介： 本发明提供一种基于标准闪存工艺的三维图像传感器，所述三维传感器结构左右轴对称；包括中间衬底、分别位于中间衬底左侧的左衬底和右侧的右衬底；包括设置于左衬底上方、横跨至中间衬底左存储区…… 查看详细 >

一种基于复合介质栅MOSFET的多模态双晶体管光敏探测器

技术简介： 基于复合介质栅MOSFET的多模态双晶体管光敏探测器，所述MOS电容感光晶体管作为光敏单元；所述MOSFET读取晶体管和与此MOSFET读取晶体管相邻的所述MOS电容感光晶体管组成基本包括多列MOS电容组成…… 查看详细 >

一种太赫兹波探测器件封装

技术简介： 本发明公开了一种太赫兹波探测器件封装，包含至少一太赫兹波探测芯片和承载所述太赫兹波探测芯片的基板或支架，芯片电气面与所述基板或支架上的外引线电极的焊接面朝同一方向。在芯片电气面上方…… 查看详细 >

一种超高密度LED显示器件及其制造方法

技术简介： 本发明公开了一种超高密度LED显示器件，包括基板以及封装于基板上的LED芯片阵列，芯片阵列包括若干均匀间隔排布的LED芯片。本发明采用扇出型晶圆级封装工艺(Fan-Out 查看详细 >

一种超高密度LED显示器件

技术简介： 本实用新型公开了一种超高密度LED显示器件，包括基板以及封装于基板上的LED芯片阵列，芯片阵列包括若干均匀间隔排布的LED芯片。本实用新型采用扇出型晶圆级封装工艺(Fan-Out 查看详细 >

一种硅基光子材料器件制备方法

技术简介： 本发明提供了一种硅基光子材料器件制备方法，具体包括以下步骤a)通过特殊方式加工制作出具有高密度和小尺寸的有序硅纳米晶粒；b)通过光刻工艺的方式对晶粒进行加工；c)采用UHV/CVD在硅衬底上生…… 查看详细 >