自支撑氮化镓单异质结声电荷输运延迟线

技术简介： 本实用新型公开了一种自支撑氮化镓单异质结声电荷输运延迟线，包括自支撑氮化镓半绝缘型衬底，自支撑氮化镓半绝缘型衬底上设置有缓冲层和声表面波叉指换能器，声表面波叉指换能器位于缓冲层两侧…… 查看详细 >

一种三明治结构的ZnON薄膜

技术简介： 一种采用三明治结构的ZnON薄膜，三明治结构的ZnON薄膜的基底上的夹层为富氮ZnON薄膜，富氮ZnON薄膜厚度为20‑150纳米，夹层上部的覆盖层为富氧ZnON薄膜，富氧ZnON薄膜层厚为5‑30纳米，基底为硅…… 查看详细 >

一种存储材料及其在非易失性电荷俘获型存储器件中的应用

技术简介： 一种非易失性电荷俘获型存储器件中的电荷存储材料，所述存储材料为混合氧化物材料，(CuO)x(Al2O3)1-x混合氧化物，x取值为0.1-0.8；所述电荷存储材料在非易失性电荷俘获型存储器件中的应用，非易…… 查看详细 >

一种光调控的垂直自旋场效应晶体管及制备方法

技术简介： 一种基于光调控的垂直自旋场效应晶体管，中间层为非磁性半导体层，非磁性半导体层上下均为铁磁性材料薄膜；所述的非磁性半导体层为砷化镓基片，铁磁性材料薄膜上引出电极；铁磁性材料薄膜采取具…… 查看详细 >

一种基于隧穿晶体管结构的太赫兹传感器

技术简介： 本发明提出了一种基于隧穿晶体管结构的太赫兹传感器，所述隧穿晶体管结构衬底为P型/N型时，离子注入形成的源区为P+型/N+型、离子注入形成的漏区为相应为N+型/P+型；在源区上方生长一层二氧化硅…… 查看详细 >

一种基于非自对准CMOS结构的太赫兹探测器

技术简介： 基于非自对准CMOS工艺的MOSFET结构的太赫兹探测器，p型衬底209上两个n型掺杂区分别为源极区和漏极区，源极区和漏极区的中央上面为SiO2层，重掺杂多晶硅区为栅极，SiO2层置于栅极与衬底之间，MOS…… 查看详细 >

基于石墨烯/碳纳米管复合吸收层的人工神经突触晶体管

技术简介： 本发明公开了一种基于石墨烯/碳纳米管复合吸收层的人工突触晶体管，该晶体管包括自下而上依次设置的衬底、栅极介质层、石墨烯/碳纳米管复合吸收层；所述石墨烯/碳纳米管复合吸收层包括至少一层…… 查看详细 >

多栅极神经元晶体管及其制备方法和构成的神经网络

技术简介： 本发明公开了一种多栅极神经元晶体管，该晶体管包括源漏电极、沟道、栅介质、浮栅电极和多个输入栅极，以及输入栅极与栅介质之间的电容记忆层。其中，各输入栅极通过电容记忆层与栅介质电容共同…… 查看详细 >

一种电感应的可变浅结作为源漏区的浮栅型快闪存储器

技术简介： 一种可变浅结作为源漏区的浮栅结构快闪存储器，在基底P型半导体材料上方的两侧设有重掺杂N型半导体区域分别构成源极、漏极，基底中央区域的正上方依次设有底部遂穿层、浮栅存储层和顶部阻挡层，…… 查看详细 >

一种新型贴片式忆容器及其制备方法

技术简介： 本发明公开了一种新型贴片式忆容器，包括自下至上依次设置的硅衬底、第一金属薄膜、第一氧化物薄膜、第二氧化物薄膜和第二金属薄膜，其中，所述第一金属包括Au、Cu、Pt、Ag、Co中的一种，所述第…… 查看详细 >

一种基于光学天线的太赫兹探测器

技术简介： 一种基于光学天线的太赫兹探测器，包括多晶硅材料层制成的光学天线、晶体管或场效应管；光学天线分别置于晶体管的源极和漏极两端，天线边缘距离晶体管栅极边缘间距为100～500nm，光学天线与晶体…… 查看详细 >

一种纳米材料透射电镜原位光电测试芯片、芯片制备方法及其应用

技术简介： 本发明公开了一种纳米材料透射电镜原位光电测试芯片、芯片制备方法及其应用，属于纳米材料性能原位测试技术领域。本发明的芯片包括硅基片、绝缘层、金属电极、薄膜窗口和发光二极管，在硅基片两…… 查看详细 >