基于MANDANI模糊控制器的感应电机调速方法

技术简介： 摘要：本发明提供了一种基于MANDANI模糊控制器的感应电机调速方法。本发明以感应电机的速度误差及其误差变化量作为MAMDANI模糊推理系统的输入，模糊推理控制器的输出经过一个积分环节作为感应电…… 查看详细 >

数字铅酸蓄电池容量测试修复仪

技术简介： 摘要：本发明是一种蓄电池容量测试和修复设备，尤其指使用恒流放电测试电池容量和高频脉冲对蓄电池进行修复的容量测试修复仪。本发明在现有铅酸蓄电池容量测试修复仪的基础上引入微处理器，并通…… 查看详细 >

LED硅太阳电池光诱导氢钝化与缺陷修复装置

技术简介： 摘要：本发明公开了一种LED硅太阳电池光诱导氢钝化与缺陷修复装置，包括用于放置硅太阳电池的温度保持恒定的检测台，还包括一个LED光源系统，包括用于发出光线的LED阵列；一个光学汇聚系统，设…… 查看详细 >

基于纳米线技术的新型片上集成光耦

技术简介： 摘要：本发明涉及一种基于纳米线技术的新型片上集成光耦，可以实现光耦在片上系统的集成。本发明主要结构分为发光部分、光波导部分和光敏部分，其特点是发光部分和光敏部分采用纳米线结构的LED…… 查看详细 >

利用氟离子注入实现的氮化镓PN结

技术简介： 摘要：本实用新型公开了一种利用氟离子注入实现的氮化镓PN结。该氮化镓PN结包括衬底，位于衬底上的n型氮化镓半导体层和嵌于n型氮化镓半导体层中部区域的p型氮化镓半导体层。其中，n型掺杂氮化镓…… 查看详细 >

一种PMOS触发LDMOS-SCR结构的高维持电压ESD保护器件

技术简介： 摘要：一种PMOS触发LDMOS‑SCR结构的高维持电压ESD保护器件，可用于片上IC高压ESD保护电路。主要由P衬底、N阱、P阱、第一P+注入区、第二P+注入区、N+注入区、第三P+注入区、第四P+注入区、金属…… 查看详细 >

一种具有源端内嵌叉指NMOS的LDMOS-SCR器件

技术简介： 摘要：一种具有源端内嵌叉指NMOS的LDMOS-SCR器件，可用于提高片上IC的ESD保护可靠性。主要由P衬底、P外延、P阱、N阱、第一N+注入区、第二N+注入区、第一P+注入区、第三N+注入区、第四N+注入区、…… 查看详细 >

一种具有类鳍式LDMOS结构的高压ESD保护器件

技术简介： 摘要：一种具有类鳍式LDMOS结构的高压ESD保护器件，可用于片上IC高压ESD保护电路。主要由P衬底、P阱、N阱、第一场氧隔离区、第一P+注入区、第一N+注入区、第一鳍式多晶硅栅、第二N+注入区、第二…… 查看详细 >

一种太阳能硅片水中分片装置

技术简介： 摘要：一种太阳能硅片水中分片装置，包括正面喷射部分，左侧喷射部分和右侧喷射部分,正面喷射进水管，左侧喷射进水管，右侧喷射进水管。所述正面喷射部分的一端与分水管相连,正面喷射板上开有微…… 查看详细 >

节能型电磁继电器

技术简介： 摘要：一种不需要强力保持、又能稳定在给定工作状态的简单结构电磁继电器。其电磁机构由固定的永久磁铁和免复位弹簧的可转角摆动电磁铁即套有电磁线圈的衔铁构成，利用永久磁铁对衔铁的吸引和排…… 查看详细 >

可垂直发射的电磁炮演示仪

技术简介： 摘要：可垂直发射的电磁炮演示仪，包括炮膛，炮桶和垫块，其特征在于，所述炮膛为凸形空心圆柱体，其下部底座左右各安装有一颗沉头锁紧螺钉，底座下部中间处设置有与炮膛连通的第一凹槽，炮膛的…… 查看详细 >

带启停装置的三线摆

技术简介： 摘要：本实用新型公开了一种带启停装置的三线摆，包括三线摆、支架，还包括吸磁器、电磁吸盘、电源，吸磁器固定在三线摆下圆盘的下表面中心，由吸磁头和悬挂吸磁头的弹性悬线组成，电磁吸盘设于…… 查看详细 >