
技术简介: 本实用新型公开了一种LED倒装结构,LED芯片上均匀涂覆矽胶,矽胶表面上再涂有荧光胶;所述荧光胶上表面设有透镜,所述透镜上表面设有减反膜,所述减反膜上表面还设有封装胶层。所述矽胶、荧光胶…… 查看详细 >
技术简介: 本发明公开了一种LED倒装结构,LED芯片上均匀涂覆矽胶,矽胶表面上再涂有荧光胶;所述荧光胶上表面设有透镜,所述透镜上表面设有减反膜,所述减反膜上表面还设有封装胶层。所述矽胶、荧光胶均依…… 查看详细 >
技术简介: 本发明是一种发光二极管飞盘状支架。包括有内部热沉(2)、金属引脚(3),其中金属引脚(3)装设在内部热沉(2)的两端,且内部热沉(2)和金属引脚(3)通过基座(1)封装成一体,内部热沉(2…… 查看详细 >
技术简介: 本发明提出了一种易封装、易散热的倒装高压LED芯片及其制作方法,包含蓝宝石衬底、外延层、p和n电极、封装基板,对这种结构芯片进行倒装封装时,能够避免芯片电极过小和基板电路焊点过密所造成…… 查看详细 >
技术简介: 本发明公开了一种倒装结构的三族氮化物微纳发光器件,包括发光器件本体,所述发光器件本体自上而下依次有第一n型三族氮化物层(1)、图形化掩膜层(2)、第二n型三族氮化物层(3)、三族氮化物有源层(…… 查看详细 >
技术简介: 本发明公开了一种提高紫外LED光输出功率的外延结构,所述外延结构自下而上包括依次设置的衬底,GaN缓冲层,未掺杂的GaN层,掺杂N型GaN层,AlGaN/GaN多量子阱结构,插入层,电子阻挡层EBL,P型Ga…… 查看详细 >
技术简介: 本发明公开了一种紫外LED倒装芯片,包括从下往上依次设置的基板、布线层和芯片外延层;本发明通过刻蚀工艺将芯片外延层的一部分去除,形成用于设置n电极的n型半导体区域,并在芯片外延层内分别…… 查看详细 >
技术简介: 本申请提供一种紫外LED外延结构,包括衬底;依次生长在所述衬底上的未掺杂缓冲层、N型AlGaN层、多量子阱结构、超晶格结构、电子阻挡层、P型AlGaN层和P型GaN层;其中,所述超晶格结构包括至少一…… 查看详细 >
技术简介: 本申请提供一种深紫外LED,包括衬底;位于所述衬底表面的未掺杂的缓冲层;位于所述未掺杂的缓冲层背离所述衬底表面的N型AlGaN层;位于所述N型AlGaN层背离所述衬底表面的多量子阱结构;位于所述…… 查看详细 >
技术简介: 本发明公开了一种实现短波长紫外LED的外延结构,所述外延结构自下而上包括依次设置的衬底、GaN缓冲层、未掺杂的GaN层、掺杂N型GaN层、多量子阱AlGaN/GaN层、P型AlGaN电子阻挡层、渐变P型AlGaN层…… 查看详细 >
技术简介: 本发明公开了一种基于音圈电机和花键轴的固晶机焊头机构及固晶机,为解决现有装置组件数量多、运动平稳性和精度较难保证等问题而设计。本发明基于音圈电机和花键轴的固晶机焊头机构包括机架组件…… 查看详细 >
技术简介: 本发明涉及一种太阳能电池片高速视觉定位及矫正系统及其方法,系统包括用于在太阳能电池片自动生产线上自动采集太阳能电池片的图像的图像采集模块、用于分析采集到的太阳能电池片图像并对太阳能…… 查看详细 >
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