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技术简介: 摘要:本发明公开了一种有机薄膜晶体管的制备方法,它包括SiO2/Si基片的预处理,还包括基片的自组装处理:将十八磷酸溶于四氢呋喃中,配制1mmol/L的溶液,用提拉法在预处理的SiO2/Si基片上生长…… 查看详细 >
技术简介: 摘要:本发明提供一种带有双轴张应变的GeSnn沟道MOSFET。该MOSFET(10)包括衬底(101)、源极和漏极(102,103)、GeSn沟道(104)、绝缘介电质薄膜(105)以及栅电极(106)。源漏区域材料的晶格…… 查看详细 >
技术简介: 摘要:本发明公开了一种用SiC作为基片的大功率半导体封装构造,包括基板和用SiC作为基片的芯片,所述芯片与基板之间设置有金属泡沫层;将金属泡沫层设置于芯片与基板之间,避免芯片与基板之间接…… 查看详细 >
技术简介: 摘要:本发明公开了一种极低导通电阻的槽型场氧功率MOS器件,涉及一种半导体功率器件,包括衬底P型硅层、有源顶层硅和槽型场氧,有源硅层包含有纵向沟道、N-漂移区、P型硅区,以及埋于整个衬底…… 查看详细 >
技术简介: 摘要:本发明提供一种超级电容器用碳材料的制备方法。该方法以价廉易得的果皮蔬菜等生物质为原料,通过硫脲水热处理、除杂处理、冷冻干燥处理、煅烧处理、碱/微波活化处理等步骤得到超级电容器…… 查看详细 >
技术简介: 摘要:本发明公开了一种提升变压器油净化效果的方法,包括如下步骤1)将滤膜放置在真空干燥箱中真空干燥;2)对滤膜进行电晕充电处理。本发明的提升变压器油净化效果的方法,通过对经干燥处理后…… 查看详细 >
技术简介: 摘要:本发明属于工程电介质与电气工程技术领域,具体涉及一种提升聚酰亚胺闪络电压的方法,包括以下步骤1)将聚酰亚胺薄膜清洗洁净并且干燥;2)对聚酰亚胺薄膜进行打磨;3)将打磨过后的聚酰亚胺…… 查看详细 >
技术简介: 摘要:本发明公开了一种PEDOT柔性透明电极的新型制备方法,其特征在于,包括以下步骤1)基片的预处理2)过渡金属氧化物溶液的制备;3)EDOT单体溶液的制备;4)溶液的成膜;5)透明电极热处理;6)二…… 查看详细 >
技术简介: 摘要:本发明涉及一种铋系高温超导带材及其制备方法,其特征在于:所述带材由金属套和位于金属套内的超导芯组成,所述超导芯的第一相为(Bi,Pb)2Sr2Ca2Cu3Oy,其重量百分比含量为超导芯的75~98…… 查看详细 >
技术简介: 摘要:本发明涉及公共场所异常声音特征提取方法,属音频信号处理技术领域。方法采用基于T分布的随机噪声代替原始的总体局部均值分解模型中的高斯白噪声,推导出基于T分布的总体局部均值分解模型…… 查看详细 >
技术简介: 摘要:本实用新型涉及一种新型电子自动化教学装置,包括台式客户端体系、云总端体系、教学客户端体系、便携客户端体系和有线Internet网络;台式客户端体系与云总端体系通过有线Internet网络信号…… 查看详细 >
技术简介: 摘要:本发明设计了一种用于船舶失事的紧急求救系统,它属于超声波传输领域,包括安装在舱体内部的按钮开关,安装在舱体内部的信号驱动电路、分布在舱体内壁的发射换能器、分布舱体外壁的接收换…… 查看详细 >
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