一种改进氢化物气相外延生长GaN材料均匀性的方法和装置

技术简介： 改进氢化物气相外延生长GaN材料均匀性的方法，在HVPE生长过程中，将GaCl或者NH3源气体通过石英喷淋头均匀喷洒在生长衬底的表面上。喷淋头由均匀分布的小孔组成石英板喷淋头，石英板喷淋头与生长…… 查看详细 >

GaMnN稀释磁性半导体薄膜材料的制备方法及其应用

技术简介： 本发明采用金属有机物化学气相外延生长技术MOCVD通过Mn掺杂，在蓝宝石衬底材料上生长GaMnN稀释磁性半导体，可获得多种浓度、具有明显的室温铁磁性的GaMnN稀释磁性半导体薄膜材料。该方法生长的M…… 查看详细 >

一种实现硅表面结构平滑的方法与设备

技术简介： 一种实现硅表面结构平滑的方法，步骤如下：通过红外光加热的方式控制硅或锗材料温度以及加热和冷却的时间；基于高真空或超高真空的石英腔体中引入氢气气氛加热，在加热过程中加入氩气，氦气或氪…… 查看详细 >

一种单根纳米线多通道复用薄膜晶体管器件的制备方法

技术简介： 一种单根纳米线多通道复用薄膜晶体管器件的制备方法，1)采用具有一定硬度，耐300℃温度的支撑性材料作为洁净衬底的表面；2)在衬底上通过光刻刻蚀技术制作出深度约100±10nm，8μm*2μm周期性回环…… 查看详细 >

一种金属衬底的氮化镓肖特基整流器及其制备方法

技术简介： 一种金属衬底的氮化镓肖特基整流器及其制备方法，整流器包括金属衬底、金属键合层和氮化镓肖特基整流器晶片，金属衬底作为支撑衬底，氮化镓肖特基整流器晶片包括氮化镓外延层、氮化镓肖特基电极…… 查看详细 >

一种高密度封装及其制造方法

技术简介： 本发明公开了一种高密度封装及其制造方法，包含基板和芯片两部分，基板与芯片通过凸点阵列连接。一部分设置有硬质金属空心柱提供凹槽，另一部分设置有硬质金属凸点与凹槽一一对应，将凸点对应插…… 查看详细 >

一种高介电系数复合氧化物电荷存储介质薄膜及应用

技术简介： 一种高介电系数复合氧化物电荷俘获介质薄膜，其化学组分是两种或两种以上高介电系数氧化物的混合物；复合氧化物薄膜呈非晶状态；复合氧化物薄膜的化学组分用化学式(AOm)x(BOn)1-x来表示，其中0.…… 查看详细 >

一种高性能非易失性铁电晶体管存储器制备

技术简介： 高性能非易失性铁电晶体管存储器，包括以p型硅为衬底，生长200‑300nm二氧化硅为绝缘层，在二氧化硅上生长一层无机非晶氧化物‑‑氧化铟硅作为半导体层，同时在半导体层两侧边缘蒸镀源极和漏极…… 查看详细 >

复合介质栅MOSFET光敏探测器的复位方法

技术简介： 本发明公开了一种复合介质栅MOSFET光敏探测器的复位方法，具体过程如下通过FN隧穿的方法将阵列中所有像元的阈值电压先注入提高到3V左右，再用FN方式使电压降低到0.5V左右，最后再通过FN隧穿注入…… 查看详细 >

基于双控制栅MOSFET结构的光电探测器

技术简介： 双控制栅MOSFET探测器，探测器每个单元的构成是：在基底P型半导体硅材料上方的两侧设有重掺杂的N型半导体区，分别构成MOSFET的源区(2)和漏区(3)，源、漏区的外部设有重掺杂的P型半导体区(4)包围…… 查看详细 >

一种基于CMOS太赫兹传感器的高响应工作方法

技术简介： 一种基于CMOS太赫兹信号传感器的工作方法，MOSFET在工作时，利用外接电路给器件的源漏两端提供一稳定的驱动电流，改变沟道的直流电导。MOSFET器件栅极(201)上加直流偏置电压Vgs，太赫兹信号从源…… 查看详细 >

紫外光雪崩管成像阵列像元、其应用方法及雪崩管成像阵列

技术简介： 本发明涉及紫外光雪崩管成像阵列像元、其应用方法及由其组成的雪崩管成像阵列。所述紫外光雪崩管成像阵列像元由多个雪崩管探测器并联而成，所述雪崩管探测器由光电二极管、薄膜电阻、金属层顺序…… 查看详细 >